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FDG328P
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 1.5 A, 0.145 ohm, SC-70, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDG328P
No. Parte Newark82C2470
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 24 semanas
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDG328P
No. Parte Newark82C2470
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id1.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.145
Resistencia de Activación Rds(on)0.156ohm
Diseño de TransistorSC-70
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd750mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5
Disipación de Potencia750
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.145
Diseño de Transistor
SC-70
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.156ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
750mW
Disipación de Potencia
750
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
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