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FDD8880
MOSFET, N, TO-252
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FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark86AK4938
Su número de pieza
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 54 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.513 |
| 3000+ | $0.503 |
| 6000+ | $0.473 |
| 12000+ | $0.450 |
| 18000+ | $0.427 |
| 30000+ | $0.413 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$1,282.50
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD8880Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark86AK4938
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id58A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9000µohm
Diseño de TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.5V
Disipación de Potencia55W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
58A
Diseño de Transistor
TO-252AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
55W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9000µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza FDD8880
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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