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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD86252
No. Parte Newark
Hilado completo85AC1775
Re-reeling (Rollos a medida)88T3251
Cinta adhesiva88T3251
Su número de pieza
87,995 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.860 | $9.30 |
| Total Precio | $9.30 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.860 |
| 10+ | $1.470 |
| 25+ | $1.360 |
| 50+ | $1.250 |
| 100+ | $1.140 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.815 |
| 5000+ | $0.796 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD86252
No. Parte Newark
Hilado completo85AC1775
Re-reeling (Rollos a medida)88T3251
Cinta adhesiva88T3251
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id42
Resistencia de Activación Rds(on)0.041ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.052ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd89W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1V
Disipación de Potencia89W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDD86252 es un MOSFET de canal N producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha diseñado especialmente para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener un rendimiento de conmutación superior.
- Tecnología MOSFET de puerta blindada
- Probado UIL 100%
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
42
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.052ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
89W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.041ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
89W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza FDD86252
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto
