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FDD3N40TM
MOSFET de Potencia, Canal N, 400 V, 2 A, 3.4 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 50+ | $0.576 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 2500
Múltiple: 2500
$1,440.00
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD3N40TM
No. Parte Newark84W8851
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400
Intensidad Drenador Continua Id2
Resistencia de Activación Rds(on)2.8ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3.4
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd30W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-252AA
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia30
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400
Resistencia de Activación Rds(on)
2.8ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3.4
Disipación de Potencia Pd
30W
Diseño de Transistor
TO-252AA
Disipación de Potencia
30
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
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3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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