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FDC658AP
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 4 mA, 0.05 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC658APCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo25AC9533
Hilado completo86K1335
Re-reeling (Rollos a medida)15R3423RL
Cinta adhesiva15R3423
Su número de pieza
5,940 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.939 | $0.94 |
| Total Precio | $0.94 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.939 |
| 50+ | $0.584 |
| 100+ | $0.382 |
| 250+ | $0.339 |
| 500+ | $0.295 |
| 1000+ | $0.267 |
| 2500+ | $0.262 |
| 5000+ | $0.256 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.264 |
| 6000+ | $0.258 |
| 12000+ | $0.245 |
| 18000+ | $0.242 |
| 30000+ | $0.238 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC658APCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante17 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo25AC9533
Hilado completo86K1335
Re-reeling (Rollos a medida)15R3423RL
Cinta adhesiva15R3423
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05
Resistencia de Activación Rds(on)0.044ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.8
Diseño de TransistorSuperSOT
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El FDC658AP es un MOSFET de canal P único de nivel lógico producido mediante el proceso avanzado PowerTrench®. Se ha optimizado para la administración de energía de la batería, el interruptor de carga y las aplicaciones de conversión de CD a CD.
- Baja carga de compuerta
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SuperSOT
No. de Pines
6Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
4
Resistencia de Activación Rds(on)
0.044ohm
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.8
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FDC658AP
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
