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FDC6506P
MOSFET Dual, Canal P, 30 V, 3 A
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6506P
No. Parte Newark58K8826
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6506P
No. Parte Newark58K8826
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Intensidad Drenador Continua Id3A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P3
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.17
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P960
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Resumen del producto
El FDC6506P es un MOSFET de doble canal P producido utilizando el avanzado proceso PowerTrench®. Ha sido especialmente diseñado para minimizar la resistencia en estado ENCENDIDO y, a la vez, mantener una carga baja en la puerta para un rendimiento de conmutación superior. Este dispositivo ha sido diseñado para ofrecer una disipación de energía excepcional en un espacio muy pequeño para aplicaciones donde los paquetes más grandes y caros no son prácticos. Es adecuado para usar con interruptor de carga y aplicaciones protegidas con batería.
- Baja carga de compuerta
- Alta velocidad de conmutación
- Tecnología de zanja de alto rendimiento para RDS extremadamente bajo (ON)
- Huella pequeña
- Perfil bajo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
3
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.17
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
960
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2018)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto