Imprimir página
FDC6305N
MOSFET Dual, Canal N, 20 V, 2.7 A, 0.08 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6305NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2029
Re-reeling (Rollos a medida)25M9439RL
Cinta adhesiva25M9439
Su número de pieza
18,675 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.960 | $4.80 |
| Total Precio | $4.80 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.960 |
| 50+ | $0.598 |
| 100+ | $0.389 |
| 250+ | $0.344 |
| 500+ | $0.298 |
| 1000+ | $0.269 |
| 2500+ | $0.264 |
| 5000+ | $0.258 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.218 |
| 6000+ | $0.209 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDC6305NCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo67R2029
Re-reeling (Rollos a medida)25M9439RL
Cinta adhesiva25M9439
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Intensidad Drenador Continua Id2.7A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N2.7
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.08
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSuperSOT
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N960
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The FDC6305N is a dual N-channel low threshold MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is suitable for use with load switch, DC-to-DC converters and motor driving applications.
- Low gate charge
- Fast switching speed
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha provocado una ampliación de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden variar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2.7A
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
2.7
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.08
Diseño de Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia de Canal N
960
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza FDC6305N
2 productos encontrados
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto