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FDB8441
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 28 A, 0.0019 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDB8441Copiar
No. Parte Newark76M7874
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id28
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0019
Resistencia de Activación Rds(on)0.0019ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd300W
Voltaje de Prueba Rds(on)2.8
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente20
Diseño de TransistorTO-263AB
Disipación de Potencia300
No. de Pines2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0019
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
2.8
Diseño de Transistor
TO-263AB
No. de Pines
2Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
28
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0019ohm
Disipación de Potencia Pd
300W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
20
Disipación de Potencia
300
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto