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FDB3632
MOSFET, N CH, 100V, 80A, TO-263AB
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FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark61M6194
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.220 |
| 50+ | $3.860 |
| 100+ | $3.600 |
| 250+ | $3.360 |
| 500+ | $3.180 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
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Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark61M6194
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id80A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente9000µohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia310W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Norma de Cualificación Automotriz0
Conforme a RoHS Ftalatos0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
9000µohm
Diseño de Transistor
TO-263AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
80A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
310W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Conforme a RoHS Ftalatos
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza FDB3632
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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