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BUL45D2G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBUL45D2G
No. Parte Newark26K3550
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 13 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 100+ | $1.760 |
| 500+ | $1.660 |
| 1000+ | $1.530 |
| 2500+ | $1.300 |
| 5000+ | $1.280 |
Precio para:Cada
Mínimo: 250
Múltiple: 50
$440.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBUL45D2G
No. Parte Newark26K3550
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo400V
Voltaje Máx. Colector a Emisor400
Corriente del Colector Continua5
Disipación de Potencia Pd75W
Disipación de Potencia75
Corriente de Colector DC5A
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Ganancia de Corriente DC hFE32hFE
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-220
Frecuencia de Transición13
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.32
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BUL45D2G es un transistor de potencia bipolar (H2BIP) de alta ganancia y alta velocidad NPN de última generación con características dinámicas altas y una dispersión mínima de lote a lote de 150ns en el tiempo de almacenamiento que lo hace ideal para aplicaciones de balasto ligero. Ofrece garantías mínimas/máximas de tiempo de almacenamiento extremadamente bajas debido a la estructura H2BIP que minimiza la propagación.
- Requisito de unidad de base baja
- Diodo de rueda libre colector-emisor integrado
- VCE(sat) dinámico totalmente caracterizado y garantizado
- Proceso 6 Sigma que proporciona diferenciales de parámetros ajustados y reproducibles
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
400
Disipación de Potencia Pd
75W
Corriente de Colector DC
5A
Ganancia de Corriente DC hFE
32hFE
Diseño de Transistor
TO-220
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
32
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
400V
Corriente del Colector Continua
5
Disipación de Potencia
75
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
No. de Pines
3Pines
Frecuencia de Transición
13
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos relacionados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65