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BSS84
MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
384,000 En Inventario
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.083 |
| 6000+ | $0.068 |
| 12000+ | $0.059 |
| 18000+ | $0.055 |
| 30000+ | $0.048 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$249.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteBSS84Copiar
No. Parte Newark67R2010
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id130
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente10
Resistencia de Activación Rds(on)1.2ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd360mW
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia360
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The BSS84 is a P-channel enhancement-mode FET produced using Fairchild's proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process minimizes ON-state resistance and to provide rugged and reliable performance and fast switching. It can be used with a minimum of effort, in most applications requiring up to 0.13A DC and can deliver current up to 0.52A. This product is particularly suited to low-voltage applications requiring a low-current high-side switch.
- Voltage-controlled P-channel small-signal switch
- High-density cell design for low RDS (ON)
- High saturation current
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
10
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
130
Resistencia de Activación Rds(on)
1.2ohm
Disipación de Potencia Pd
360mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
360
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSS84
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
