BS170-D26Z
MOSFET, N-CH, 60V, 0.5A, 150DEG C, 0.83W
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.626 | $3.13 |
| Total Precio | $3.13 | ||
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.626 |
| 10+ | $0.398 |
| 25+ | $0.354 |
| 50+ | $0.310 |
| 100+ | $0.266 |
| 250+ | $0.238 |
| 500+ | $0.209 |
| 1000+ | $0.191 |
Información del producto
Resumen del producto
El BS170_D26Z es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N de 60V producido utilizando tecnología DMOS de alta densidad celular. Este dispositivo ha sido diseñado para minimizar la resistencia en estado encendido mientras proporciona un rendimiento de conmutación resistente, confiable y rápido. Esto se puede utilizar en la mayoría de las aplicaciones que requieren hasta 500 mA CD. Es particularmente adecuado para aplicaciones de baja tensión y baja corriente, como control de servomotor pequeño, controladores de compuerta MOSFET de potencia y otras aplicaciones de conmutación. Este producto es de uso general y adecuado para muchas aplicaciones diferentes.
- Diseño de celda de alta densidad para bajo RDS (ON)
- Interruptor de señal pequeña controlado por voltaje
- Resistente y confiable
- Alta capacidad a corriente de saturación
- Voltaje de compuerta a drenaje (VDGR) 60V
- Voltaje de fuente de compuerta continua (VGSS) de ±20V
- Resistencia térmica 150°C/W, unión a ambiente
Especificaciones técnicas
Canal N
60V
1.2ohm
TO-92
830mW
2.1V
3Pines
-
MSL 1 - Unlimited
N Channel
500mA
5ohm
Through Hole
10V
830mW
150°C
-
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BS170-D26Z
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Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto