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2N7000-D26Z
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Agujero Pasante
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7000-D26ZCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)78K6147
Cinta adhesiva78K6147
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.628 | $0.63 |
| Total Precio | $0.63 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.628 |
| 10+ | $0.386 |
| 25+ | $0.339 |
| 50+ | $0.293 |
| 100+ | $0.245 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7000-D26ZCopiar
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)78K6147
Cinta adhesiva78K6147
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd400mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.1
Diseño de TransistorTO-92
Disipación de Potencia400
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7000_D26Z es un transistor de efecto de campo de modo de mejora de canal N de 60 V producido utilizando tecnología DMOS de alta densidad celular. Ha sido diseñado para minimizar la resistencia en el estado mientras proporciona un rendimiento de conmu
- Diseño de celda de alta densidad para RDS extremadamente bajo (ON)
- Interruptor de señal pequeña controlado por voltaje
- Resistente y confiable
- Alta capacidad a corriente de saturación
- Voltaje de compuerta a drenaje (VDGR) 60V
- Voltaje de fuente de compuerta continua (VGSS) de ±20V
- Resistencia térmica de 312.5°C/W, unión a ambiente
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
400mW
Diseño de Transistor
TO-92
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
200
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.1
Disipación de Potencia
400
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza 2N7000-D26Z
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
