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PZT651T1G
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 60 V, 2 A, 800 mW, SOT-223
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricantePZT651T1GCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo32AJ8631
Cinta adhesiva45J2216
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14,000 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1000 | $0.266 | $266.00 |
| Total Precio | $266.00 | ||
Cinta adhesiva
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2000+ | $0.266 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $0.217 |
| 2000+ | $0.201 |
| 4000+ | $0.187 |
| 6000+ | $0.174 |
| 10000+ | $0.167 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricantePZT651T1GCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo32AJ8631
Cinta adhesiva45J2216
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo60V
Voltaje Máx. Colector a Emisor60V
Corriente del Colector Continua2A
Disipación de Potencia800mW
Disipación de Potencia Pd800mW
Corriente de Colector DC2A
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE75hFE
No. de Pines4Pines
Diseño de TransistorSOT-223
Frecuencia de Transición75MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.75hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
CalificaciónAEC-Q101
Rango de Producto-
Norma de Cualificación AutomotrizAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El PZT651T1G es un transistor bipolar NPN diseñado para su uso en aplicaciones industriales y de consumo. El dispositivo está alojado en el paquete diseñado para aplicaciones de montaje en superficie de potencia media. El paquete asegura un montaje nivelado, lo que da como resultado una conducción térmica mejorada y permite la inspección visual de las juntas soldadas. Los cables formados absorben el estrés térmico durante la soldadura, eliminando la posibilidad de dañar la matriz.
- Se puede soldar usando ola o reflujo
- Libre de halógenos
- Calificado para AEC-Q101 y capacidad para PPAP
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
60V
Disipación de Potencia
800mW
Corriente de Colector DC
2A
Ganancia de Corriente DC hFE
75hFE
Diseño de Transistor
SOT-223
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
75hFE
Calificación
AEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
60V
Corriente del Colector Continua
2A
Disipación de Potencia Pd
800mW
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
4Pines
Frecuencia de Transición
75MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Alternativas para el número de pieza PZT651T1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto