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NVMTS4D3N15MC
MOSFET, N-CH, 150V, 165A, DFNW ROHS COMPLIANT: YES
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1,266 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $8.880 |
| 10+ | $6.560 |
| 25+ | $6.150 |
| 50+ | $5.740 |
| 100+ | $5.330 |
| 250+ | $5.330 |
| 500+ | $5.320 |
| 1000+ | $5.070 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNVMTS4D3N15MC
No. Parte Newark50AJ5925
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds150V
Intensidad Drenador Continua Id165A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente4450µohm
Diseño de TransistorDFNW
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.6V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia292W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
150V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
DFNW
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
165A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
4450µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.6V
Disipación de Potencia
292W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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