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NTZD3155CT1G
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.55 ohm
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTZD3155CT1G
No. Parte Newark10N9592
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.370 |
| 25+ | $0.303 |
| 100+ | $0.196 |
| 500+ | $0.163 |
| 1000+ | $0.129 |
| 2500+ | $0.123 |
| 10000+ | $0.118 |
| 25000+ | $0.116 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteNTZD3155CT1G
No. Parte Newark10N9592
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Intensidad Drenador Continua Id540mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N540
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P540
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.55
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.4
Diseño de TransistorSOT-563
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N250
Disipación de Potencia de Canal P250
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza NTZD3155CT1G
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
El NTZD3155CT1G es un MOSFET de señal pequeña complementario de canal N/P diseñado para teléfonos móviles, MP3, cámaras digitales y PDA. Es adecuado para circuitos de conversión de CD a CD, conmutación de carga/potencia con cambio de nivel, sistemas operados por batería de iones de litio de una o dos celdas y aplicaciones de circuito de alta velocidad.
- Tecnología de trinchera líder para un bajo rendimiento de RDS (ON)
- Rendimiento del sistema de alta eficiencia
- Voltaje de umbral bajo
- Puerta protegida ESD
- Huella pequeña
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
540
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.4
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
250
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
540mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
540
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.55
Diseño de Transistor
SOT-563
Disipación de Potencia de Canal N
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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