Imprimir página
FQB34P10TM
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 33.5 A, 0.06 ohm, TO-263AB, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 7 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.330 |
| 3000+ | $2.230 |
| 6000+ | $2.140 |
| 12000+ | $1.980 |
| 18000+ | $1.930 |
| 30000+ | $1.880 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 800
Múltiple: 800
$1,864.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFQB34P10TM
No. Parte Newark60J0798
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id33.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Resistencia de Activación Rds(on)0.049ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd3.75W
Diseño de TransistorTO-263AB
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia3.75
No. de Pines2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El FQB34P10TM es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal P QFET® producido utilizando banda plana y tecnología DMOS. Esta avanzada tecnología MOSFET se ha diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado ENCENDIDO, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y una alta potencia energética de avalancha. Es adecuado para fuentes de alimentación de modo conmutado, amplificador de audio y aplicaciones de potencia de conmutación variable.
- Probado avalancha 100%
- Carga de puerta baja típica de 85nC
- Cruce bajo típico 170pF
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
3.75W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
2Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
33.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.049ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-263AB
Disipación de Potencia
3.75
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza FQB34P10TM
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
