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FDN336P
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 1.2 A, 0.2 ohm, SuperSOT, Montaje Superficial
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69,000 En Inventario
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.191 |
| 6000+ | $0.167 |
| 12000+ | $0.149 |
| 18000+ | $0.137 |
| 30000+ | $0.125 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$573.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDN336PCopiar
No. Parte Newark23K1650
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.122ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Disipación de Potencia Pd500mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente900
Diseño de TransistorSuperSOT
Disipación de Potencia500
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The FDN336P is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. It is well suited for load switching, battery charging circuits and DC-to-DC conversion. The SuperSOT™-3 provides low RDS (ON) and 30% higher power handling capability than SOT23 in the same footprint.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- 3.6nC Typical low gate charge
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.2
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
500mW
Diseño de Transistor
SuperSOT
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.122ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
900
Disipación de Potencia
500
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza FDN336P
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto