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FDD6690A
MOSFET Transistor, N Channel, 46 A, 30 V, 0.0077 ohm, 10 V, 1.9 V RoHS Compliant: Yes
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD6690A
No. Parte Newark25M9451
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Hoja de datos técnicos
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Opciones de embalaje
Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteFDD6690A
No. Parte Newark25M9451
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id46A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.012ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.9V
Disipación de Potencia50W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (14-Jun-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.9V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
46A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.012ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
50W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (14-Jun-2023)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (14-Jun-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65