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2N7002KT1G
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 380 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002KT1GCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo95W1678
Re-reeling (Rollos a medida)09R9863
Cinta adhesiva09R9863
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 3000 | $0.049 | $147.00 |
| Total Precio | $147.00 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 12000+ | $0.049 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.040 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7002KT1GCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo95W1678
Re-reeling (Rollos a medida)09R9863
Cinta adhesiva09R9863
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id380mA
Resistencia de Activación Rds(on)1.19ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.6ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd420mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Diseño de TransistorSOT-23
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.3V
Disipación de Potencia420mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Resumen del producto
El 2N7002KT1G es un MOSFET de señal pequeña de canal N que ofrece un voltaje de fuente de drenaje de 60V y una corriente de drenaje de estado estable de 320mA. Es adecuado para interruptores de carga lateral baja, circuitos de cambio de nivel, convertidor de CD a CD, DSC portátil y aplicaciones PDA.
- Bajo RDS (ENCENDIDO)
- Encapsulado de montaje superficial
- Libre de halógenos
- Protegido contra ESD
- Rango de temperatura de unión de operación entre -55 y 150°C
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha causado una extensión en los plazos de entrega, las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
1.19ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.3V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
380mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.6ohm
Disipación de Potencia Pd
420mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia
420mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Alternativas para el número de pieza 2N7002KT1G
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
