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2N7000TA
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-226AA, Agujero Pasante
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 25 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.131 |
| 10000+ | $0.128 |
| 25000+ | $0.112 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 4000
Múltiple: 2000
$524.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte Fabricante2N7000TA
No. Parte Newark83C3474
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5
Diseño de TransistorTO-226AA
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.9
Disipación de Potencia400
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
200
Diseño de Transistor
TO-226AA
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
400
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.9
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza 2N7000TA
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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