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BFG591,115
Transistor RF - Bipolar, Banda Ancha, NPN, 15 V, 7 GHz, 2 W, 200 mA, SOT-223
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FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBFG591,115
No. Parte Newark75R4631
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBFG591,115
No. Parte Newark75R4631
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo15V
Voltaje Máx. Colector a Emisor15
Frecuencia de Transición7
Disipación de Potencia Pd2W
Disipación de Potencia2
Corriente del Colector Continua200
Corriente de Colector DC200mA
Ganancia de Corriente DC hFE90hFE
Diseño de TransistorSOT-223
Encapsulado de Transistor RFSOT-223
No. de Pines3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.90
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
15
Disipación de Potencia Pd
2W
Corriente del Colector Continua
200
Ganancia de Corriente DC hFE
90hFE
Encapsulado de Transistor RF
SOT-223
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
90
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
15V
Frecuencia de Transición
7
Disipación de Potencia
2
Corriente de Colector DC
200mA
Diseño de Transistor
SOT-223
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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