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BF861C,215
Transistor FET RF, 25 V, 25 mA, 250 mW, SOT-23
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Información del producto
FabricanteNXP
No. Parte FabricanteBF861C,215Copiar
No. Parte Newark70R2646
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds25
Intensidad Drenador Continua Id25
Disipación de Potencia250
Disipación de Potencia Pd250mW
Frecuencia de Funcionamiento Mín.-
Frecuencia de Funcionamiento Máx.-
Diseño de TransistorSOT-23
No. de Pines3Pines
Encapsulado de Transistor RFSOT-23
Temperatura de Trabajo Máx.150
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2019)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
25
Disipación de Potencia
250
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
-
Diseño de Transistor
SOT-23
Encapsulado de Transistor RF
SOT-23
Tipo de Canal
Canal N
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2019)
Intensidad Drenador Continua Id
25
Disipación de Potencia Pd
250mW
Frecuencia de Funcionamiento Máx.
-
No. de Pines
3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2019)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto