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PXN2R9-100RSJ
MOSFET, N-CH, 100V, 180A, MLPAK56 ROHS COMPLIANT: YES
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2,015 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $5.410 |
| 10+ | $3.640 |
| 25+ | $3.400 |
| 50+ | $3.150 |
| 100+ | $2.910 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePXN2R9-100RSJ
No. Parte Newark27AM4752
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id180A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente2900µohm
Diseño de TransistorMLPAK56
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia181W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
180A
Diseño de Transistor
MLPAK56
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
181W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
2900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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