Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.

FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN4R8-100BSEJCopiar
No. Parte Newark55W5044
Su número de pieza
545 En Inventario
5,663 Puede reservar stock ahora
Envío estándar sin costo
en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
si realiza su pedido antes de las 8 p. m. EST.
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $9.140 |
| 10+ | $6.270 |
| 25+ | $5.810 |
| 50+ | $5.360 |
| 100+ | $4.900 |
| 250+ | $4.450 |
| 500+ | $3.970 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$9.14
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN4R8-100BSEJCopiar
No. Parte Newark55W5044
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id120
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0041
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia405
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El PSMN4R8-100BSE es un MOSFET de nivel estándar de canal N que ofrece un RDS (ON) muy bajo para bajas pérdidas de conducción. El dispositivo complementa los últimos controladores hot-swap: lo suficientemente robusto para soportar importantes corrientes de entrada durante el encendido, al tiempo que ofrece una característica RDS (ON) baja para mantener bajas las temperaturas y alta la eficiencia en el uso continuo. Ideal para sistemas de telecomunicaciones basados en un riel de alimentación/placa base de 48 V.
- Área de operación segura con polarización directa mejorada para una operación en modo lineal superior
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
405
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0041
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza PSMN4R8-100BSEJ
7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
