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PSMN3R0-30YLDX
MOSFET, N-CH, 30V, 100A, POWERSO ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 23 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1500+ | $1.030 |
| 3000+ | $0.992 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 1500
Múltiple: 1500
$1,545.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN3R0-30YLDX
No. Parte Newark86AK6013
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3100µohm
Diseño de TransistorPowerSO
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia91W
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Diseño de Transistor
PowerSO
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
91W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3100µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza PSMN3R0-30YLDX
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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Trazabilidad del producto