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PSMN1R9-80SSJJ
MOSFET, N-CH, 80V, 286A, LFPAK88 ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $13.060 |
| 10+ | $11.660 |
| 25+ | $10.800 |
| 50+ | $9.880 |
| 100+ | $8.740 |
| 250+ | $7.180 |
| 500+ | $6.890 |
| 1000+ | $6.530 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R9-80SSJJ
No. Parte Newark47AM9474
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id286A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1900µohm
Diseño de TransistorLFPAK88
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.2V
Disipación de Potencia500W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
286A
Diseño de Transistor
LFPAK88
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
500W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1900µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.2V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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