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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $14.820 |
| 10+ | $10.940 |
| 25+ | $10.410 |
| 50+ | $9.900 |
| 100+ | $9.380 |
| 250+ | $9.090 |
| 500+ | $8.800 |
| 1000+ | $7.690 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R4-100CSEJ
No. Parte Newark27AM4728
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id340A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1420µohm
Diseño de TransistorCCPAK1212i
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.6V
Disipación de Potencia935W
No. de Pines12Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
340A
Diseño de Transistor
CCPAK1212i
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
935W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1420µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.6V
No. de Pines
12Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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