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PSMN1R1-40BS,118
MOSFET, N-CH, 40V, 120A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteNEXPERIA
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No. Parte Newark86AK6011
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 800+ | $2.680 |
| 1600+ | $2.590 |
| 3200+ | $2.500 |
| 4800+ | $2.470 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 800
Múltiple: 800
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R1-40BS,118Copiar
No. Parte Newark86AK6011
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id120A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1300µohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia306W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
120A
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
306W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1300µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
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