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PSMN1R0-30YLC,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 100 A, 0.00115 ohm, SOT-669, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R0-30YLC,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6010
Re-reeling (Rollos a medida)55T6966RL
Cinta adhesiva55T6966
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680 En Inventario
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.220 | $2.22 |
| Total Precio | $2.22 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.220 |
| 50+ | $1.480 |
| 100+ | $1.090 |
| 250+ | $0.987 |
| 500+ | $0.883 |
| 1000+ | $0.791 |
| 2500+ | $0.738 |
| 5000+ | $0.701 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1500+ | $1.240 |
| 3000+ | $1.190 |
| 4500+ | $1.140 |
| 7500+ | $1.120 |
| 15000+ | $1.090 |
| 37500+ | $1.070 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN1R0-30YLC,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK6010
Re-reeling (Rollos a medida)55T6966RL
Cinta adhesiva55T6966
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.00115
Resistencia de Activación Rds(on)850µohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd137W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.41V
Disipación de Potencia137W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El PSMN1R0-30YLC es un MOSFET de nivel lógico de modo de mejora de canal N optimizado para un controlador de compuerta de 4.5V que utiliza la tecnología NextPower Superjunction. Está diseñado y calificado para su uso en una amplia gama de convertidores de CD a CD, protección de batería de iones de litio, conmutación de carga, junta tórica de alimentación, fuentes de alimentación del servidor, rectificador de sincronización y aplicaciones de equipos domésticos.
- Ultra bajo QG, QGD y QOSS para altas eficiencias del sistema en cargas bajas y altas
- RDS ultra bajo (ON) y baja inductancia parasitaria
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 175°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Resistencia de Activación Rds(on)
850µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
137W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.00115
Diseño de Transistor
SOT-669
Disipación de Potencia Pd
137W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.41V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza PSMN1R0-30YLC,115
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto