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PSMN011-100YSFX
MOSFET, N-CH, 100V, 79.5A, LFPAK56 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteNEXPERIA
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No. Parte Newark92AH1881
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Información del producto
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No. Parte Newark92AH1881
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id79.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8800µohm
Diseño de TransistorLFPAK56
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3.1V
Disipación de Potencia152W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines5Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
LFPAK56
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
152W
No. de Pines
5Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
79.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8800µohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3.1V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificado de conformidad del producto