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PMV55ENEAR
MOSFET, N-CH, 60V, 3.1A, TO-236AB ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 59 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.235 |
| 6000+ | $0.225 |
| 12000+ | $0.216 |
| 18000+ | $0.204 |
| 30000+ | $0.192 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$705.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV55ENEAR
No. Parte Newark86AK5988
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id3.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.046ohm
Diseño de TransistorTO-236AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia478mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
3.1A
Diseño de Transistor
TO-236AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
478mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.046ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza PMV55ENEAR
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto