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PMV19XNEAR
MOSFET, N-CH, 30V, 6A, TO-236AB ROHS COMPLIANT: YES
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 59 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.291 |
| 6000+ | $0.279 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$873.00
nota de línea
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV19XNEAR
No. Parte Newark86AK5966
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id6A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.024ohm
Diseño de TransistorTO-236AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente650mV
Disipación de Potencia610mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6A
Diseño de Transistor
TO-236AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
610mW
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.024ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
650mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza PMV19XNEAR
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Trazabilidad del producto