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PMPB47XP,115
MOSFET, CANAL N, 30V, 4A, DFN2020MD
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.893 |
| 10+ | $0.548 |
| 25+ | $0.482 |
| 50+ | $0.413 |
| 100+ | $0.347 |
| 250+ | $0.305 |
| 500+ | $0.261 |
| 1000+ | $0.233 |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$4.46
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMPB47XP,115Copiar
No. Parte Newark74AH1155
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.047ohm
Diseño de TransistorDFN2020MD
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente680mV
Disipación de Potencia1.7W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
DFN2020MD
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.7W
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.047ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
680mV
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto