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PMN48XPA2X
MISCELLANEOUS MOSFETS
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.470 |
| 10+ | $0.913 |
| 25+ | $0.804 |
| 50+ | $0.696 |
| 100+ | $0.587 |
| 250+ | $0.517 |
| 500+ | $0.446 |
| 1000+ | $0.401 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMN48XPA2XCopiar
No. Parte Newark71AH5491
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id4.4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.037ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTSOP
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)8V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente950mV
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia660mW
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.037ohm
Diseño de Transistor
TSOP
Voltaje de Prueba Rds(on)
8V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
4.4A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
950mV
Disipación de Potencia
660mW
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto