Imprimir página
PMDPB30XNAX
MOSFET, NEXPERIA PMDPB30XNAX
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMDPB30XNAXCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)03AM8179
Cinta adhesiva03AM8179
Su número de pieza
Disponible para pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.230 | $6.15 |
| Total Precio | $6.15 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $1.230 |
| 50+ | $0.782 |
| 100+ | $0.519 |
| 250+ | $0.462 |
| 500+ | $0.405 |
| 1000+ | $0.367 |
| 2500+ | $0.360 |
| 5000+ | $0.352 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMDPB30XNAXCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)03AM8179
Cinta adhesiva03AM8179
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N4.5A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.034ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorDFN2020
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.6W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
4.5A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.034ohm
Diseño de Transistor
DFN2020
Disipación de Potencia de Canal N
1.6W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto