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NX3020NAKS,115
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 30 V, 180 mA, 180 mA, 2.7 ohm
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX3020NAKS,115
No. Parte Newark84W8031
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 17 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.665 |
| 10+ | $0.329 |
| 100+ | $0.254 |
| 500+ | $0.200 |
| 1000+ | $0.158 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$3.32
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX3020NAKS,115
No. Parte Newark84W8031
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id180mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N180
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P180
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2.7
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente2.7
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N375
Disipación de Potencia de Canal P375
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The NX3020NAKS is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
- Low threshold voltage
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
180
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
2.7
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
375
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
180mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
180
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2.7
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
375
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
WARNINGProposition 65