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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $30.520 |
| 10+ | $24.910 |
| 25+ | $24.610 |
| 50+ | $24.290 |
| 100+ | $23.110 |
| 250+ | $19.320 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNSF040120L4A0QCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante52 semanas
No. Parte Newark02AM6531
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id65
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)15
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9
Disipación de Potencia306
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
65
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
15
Disipación de Potencia
306
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto

