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NSF040120D7A1J
SILICON CARBIDE, SIC, MOSFETS - MODULES
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNSF040120D7A1JCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)44AM4347RL
Cinta adhesiva44AM4347
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $11.710 | $11.71 |
| Total Precio | $11.71 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $11.710 |
| 50+ | $10.730 |
| 100+ | $10.290 |
| 250+ | $9.470 |
| 500+ | $8.860 |
| 1000+ | $8.170 |
| 2500+ | $7.860 |
| 5000+ | $7.520 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNSF040120D7A1JCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)44AM4347RL
Cinta adhesiva44AM4347
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id54A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.06ohm
Diseño de TransistorTO-263
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.9V
Disipación de Potencia250W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
54A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.06ohm
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.9V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-263
Voltaje de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
250W
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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