MJD45H11AJ

Transistor Bipolar (BJT) Individual, PNP, 80 V, 8 A, 20 W, SOT-428C, Montaje Superficial

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NEXPERIA MJD45H11AJ
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteMJD45H11AJ
No. Parte Newark53AJ1719
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Información del producto

FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteMJD45H11AJ
No. Parte Newark53AJ1719
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor80
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Corriente de Colector DC0
Corriente del Colector Continua8
Disipación de Potencia20
Disipación de Potencia Pd0
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición80
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.40
Ganancia de Corriente DC hFE0
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)

Especificaciones técnicas

Transistor, Polaridad

PNP

Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo

0

Corriente del Colector Continua

8

Disipación de Potencia Pd

0

Montaje de Transistor

Surface Mount

Frecuencia de Transición

80

Ganancia de Corriente DC hFE

0

Rango de Producto

-

Norma de Cualificación Automotriz

0

Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)

No SVHC (25-Jun-2025)

Voltaje Máx. Colector a Emisor

80

Corriente de Colector DC

0

Disipación de Potencia

20

Diseño de Transistor

TO-252 (DPAK)

No. de Pines

3Pines

Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.

40

Temperatura de Trabajo Máx.

150

Calificación

AEC-Q101

Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)

-

Legislación y medioambiente

US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:

RoHS

Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):

RoHS

Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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