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GANB1R2-040QBAZ
GAN TRANSISTOR, 40V, 100A, VQFN ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteGANB1R2-040QBAZ
No. Parte Newark48AM3552
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $15.730 |
| 10+ | $11.310 |
| 25+ | $10.590 |
| 50+ | $9.890 |
| 100+ | $9.180 |
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Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteGANB1R2-040QBAZ
No. Parte Newark48AM3552
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds-
Intensidad Drenador Continua Id100A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Carga de Compuerta Típica60nC
Diseño de TransistorVQFN
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines27Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
-
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
VQFN
No. de Pines
27Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
100A
Carga de Compuerta Típica
60nC
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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