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GANB012-040CBAZ
GAN TRANSISTOR, 40V, 10A, WLCSP ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.71 |
| 10+ | $1.51 |
| 25+ | $1.38 |
| 50+ | $1.28 |
| 100+ | $1.11 |
| 250+ | $1.02 |
| 500+ | $0.92 |
| 1000+ | $0.89 |
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Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteGANB012-040CBAZ
No. Parte Newark48AM3551
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds-
Intensidad Drenador Continua Id10A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Carga de Compuerta Típica7.2nC
Diseño de TransistorWLCSP
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines12Pines
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
-
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
WLCSP
No. de Pines
12Pines
Calificación
-
Intensidad Drenador Continua Id
10A
Carga de Compuerta Típica
7.2nC
Montaje de Transistor
Surface Mount
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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