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BUK9K12-80LX
MOSFET, DUAL N-CH, 80V, 51A, LFPAK56D ROHS COMPLIANT: YES
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.180 |
| 10+ | $2.700 |
| 25+ | $2.660 |
| 50+ | $2.630 |
| 100+ | $1.840 |
| 250+ | $1.650 |
| 500+ | $1.470 |
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Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBUK9K12-80LX
No. Parte Newark29AM6748
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N80V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N51A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.0112ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorLFPAK56D
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N68W
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
80V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
51A
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.0112ohm
Diseño de Transistor
LFPAK56D
Disipación de Potencia de Canal N
68W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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