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BSS138PW,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 320 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSS138PW,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7299
Re-reeling (Rollos a medida)58T1369RL
Cinta adhesiva58T1369
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.385 | $1.92 |
| Total Precio | $1.92 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.385 |
| 10+ | $0.233 |
| 25+ | $0.203 |
| 50+ | $0.173 |
| 100+ | $0.144 |
| 250+ | $0.124 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.072 |
| 6000+ | $0.067 |
| 12000+ | $0.063 |
| 18000+ | $0.058 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSS138PW,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7299
Re-reeling (Rollos a medida)58T1369RL
Cinta adhesiva58T1369
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id320mA
Resistencia de Activación Rds(on)0.9ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.6ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd830mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.2V
Disipación de Potencia830mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSS138PW es un transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N en un paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- Compatible con nivel lógico
- Conmutación muy rápida
- Protección ESD hasta 1.5kV
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
320mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
830mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.9ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Disipación de Potencia Pd
830mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.2V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSS138PW,115
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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