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BSS138P,215
MOSFET,N CHANNEL,60V,0.36A,SOT23
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSS138P,215
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7298
Re-reeling (Rollos a medida)27T2631
Cinta adhesiva27T2631
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Hoja de datos técnicos
27,000 En Inventario
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Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.315 |
| 10+ | $0.191 |
| 25+ | $0.166 |
| 50+ | $0.142 |
| 100+ | $0.117 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.068 |
| 6000+ | $0.064 |
| 12000+ | $0.060 |
| 18000+ | $0.056 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSS138P,215
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7298
Re-reeling (Rollos a medida)27T2631
Cinta adhesiva27T2631
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id360mA
Resistencia de Activación Rds(on)0.9ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.6ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd420mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia420mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSS138P es un transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N en un paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- Conmutación muy rápida
- Protección ESD hasta 1.5kV
- Compatible con nivel lógico
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
360mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
420mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.9ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
420mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (4)
Alternativas para el número de pieza BSS138P,215
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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