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BC857BW,115
Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 200 mW, -100 mA, 220 RoHS Compliant: Yes
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBC857BW,115
No. Parte Newark97W1888
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo0
Voltaje Máx. Colector a Emisor45V
Corriente del Colector Continua100mA
Corriente de Colector DC0
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia200mW
Diseño de TransistorSOT-323
Ganancia de Corriente DC hFE0
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición-
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.220hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
45V
Corriente de Colector DC
0
Disipación de Potencia
200mW
Ganancia de Corriente DC hFE
0
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
220hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
0
Corriente del Colector Continua
100mA
Disipación de Potencia Pd
0
Diseño de Transistor
SOT-323
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BC857BW,115
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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