Imprimir página
2N7002PS,115
MOSFET,NN CHANNEL,60V,0.32A,SOT363
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002PS,115
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7917
Re-reeling (Rollos a medida)28T0308
Cinta adhesiva28T0308
Su número de pieza
6,445 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 8 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.509 | $2.54 |
| Total Precio | $2.54 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.509 |
| 10+ | $0.318 |
| 25+ | $0.281 |
| 50+ | $0.242 |
| 100+ | $0.204 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 3000+ | $0.100 |
| 6000+ | $0.095 |
| 12000+ | $0.089 |
| 18000+ | $0.082 |
| 30000+ | $0.075 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002PS,115
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7917
Re-reeling (Rollos a medida)28T0308
Cinta adhesiva28T0308
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id320mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N320mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N320mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002PS es un MOSFET de modo de mejora de canal N dual diseñado en un paquete de plástico de montaje en superficie muy pequeño que utiliza la tecnología Trench MOSFET. Es adecuado para su uso en controladores de relevador, controladores de línea de alta velocidad, interruptores de carga del lado bajo y circuitos de conmutación.
- Nivel lógico compatible
- Conmutación muy rápida
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
320mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
320mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
320mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza 2N7002PS,115
1 producto (s) encontrado (s)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto