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2KK5101
MOSFET, DUAL N-CH, 20V, 0.9A, SOT-363
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FabricanteMULTICOMP PRO
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Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark15AN3115
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 5+ | $0.277 |
| 10+ | $0.187 |
| 100+ | $0.091 |
| 500+ | $0.056 |
| 1000+ | $0.042 |
| 2500+ | $0.035 |
| 10000+ | $0.034 |
| 25000+ | $0.028 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
Múltiple: 5
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Información del producto
FabricanteMULTICOMP PRO
No. Parte Fabricante2KK5101Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante19 semanas
No. Parte Newark15AN3115
Tipo de CanalDual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N900mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.3ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N900mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
900mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.3ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
900mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
