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MTFC4GLWDM-4M AAT A
Memoria Flash, eMMC NAND, 4 GB, Paralelo, TFBGA, 153 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMTFC4GLWDM-4M AAT A
No. Parte Newark80AH7145
Rango de Producto3.3V eMMC NAND Flash Memories
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMTFC4GLWDM-4M AAT A
No. Parte Newark80AH7145
Rango de Producto3.3V eMMC NAND Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlasheMMC NAND
Tamaño de la Memoria4GB
Densidad de Memoria4GB
Configuración de Memoria-
Configuración Memoria Flash-
Tipo de Interfaz ICParallel
InterfacesParalelo
Estuche / Paquete CITFBGA
Memoria, TipoTFBGA
No. de Pines153Pines
Frecuencia Max de Reloj52MHz
Frecuencia de Reloj52MHz
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.1.65V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.105°C
Rango de Producto3.3V eMMC NAND Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
eMMC NAND
Densidad de Memoria
4GB
Configuración Memoria Flash
-
Interfaces
Paralelo
Memoria, Tipo
TFBGA
Frecuencia Max de Reloj
52MHz
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Temperatura de Trabajo Máx.
105°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Tamaño de la Memoria
4GB
Configuración de Memoria
-
Tipo de Interfaz IC
Parallel
Estuche / Paquete CI
TFBGA
No. de Pines
153Pines
Frecuencia de Reloj
52MHz
Tensión de Alimentación Mín.
1.65V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
3.3V eMMC NAND Flash Memories
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto