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MT53E512M64D4HJ-046 AIT:D
DRAM, LPDDR4 Móvil, 32 Gbit, 512M x 64bit, 2.133 GHz, TFBGA, 556 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E512M64D4HJ-046 AIT:D
No. Parte Newark80AH8430
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E512M64D4HJ-046 AIT:D
No. Parte Newark80AH8430
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de DRAM32Gbit
Densidad de Memoria32Gbit
Configuración Memoria DRAM512M x 64bit
Configuración de Memoria512M x 64bit
Frecuencia Max de Reloj2.133GHz
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Memoria, TipoTFBGA
Estuche / Paquete CITFBGA
No. de Pines556Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1V
IC, MontajeSurface Mount
Tiempo de Acceso468ps
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.95°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria
32Gbit
Configuración de Memoria
512M x 64bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Estuche / Paquete CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1V
Tiempo de Acceso
468ps
Temperatura de Trabajo Máx.
95°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de DRAM
32Gbit
Configuración Memoria DRAM
512M x 64bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133GHz
Memoria, Tipo
TFBGA
No. de Pines
556Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto